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篇名: 雙路電晶體陣列. 複合雙差動電
作者: ABEL868	日期: 2009.09.10　　天氣: 　心情:

雙路電晶體陣列. 複合雙差動電晶體
dual_PNP_電晶體P型半導體與N型半導體→PN接面二極體
.矽 + 磷 (5價的都可以，普遍是磷、砷)<=這個我們叫施體
→加進去後會使電子跑出來形成"自由電子"，電子帶負電
於是變成→電子(負電)+施體離子(正電) = N型SC (電中性)
2.1.矽 + 硼 (3價的都可以，普遍是硼)<=這個我們叫受體
→加進去後會多出一個電洞 (沒有多的電子去填滿)，電洞帶正電
於是變成→電洞(正電)+受體離子(負電) = P型SC (電中性)
→PNP、NPN(BJT電晶體) PN接面二極體
就是將P-SC 與 N-SC 接在一起
這個我們叫開路二極體逆偏：空乏區上升、擴散電流下降
順偏：空乏區下降、擴散電流上升
當二極體順偏時，其切入電壓大約為0.5~0.6
順偏有順偏電流
逆偏有逆偏電流(逆向飽和電流)
崩潰又分為累增崩潰跟吉納崩潰...
跳回BJT
NPN-BJT就是由2個N-SC與1個P-SC形成的接面
+_+ 沒辦法用出圖... N │P│ N P│N│P
於是NPN會有兩個接面 ↑ ↑ ↑ ↑
E端與B端的接面叫做射及接面(JE) JE JC JE JC
C端與B端的接面叫做集及接面 (JC)
N │P│ N P│N│P
↑↑↑ ↑
JE JC JE JC
PNP反之
當 JE 順偏 JC 逆偏時就是電晶體的作用區 → 作為放大器
當 JE 順偏 JC 順偏時就是電晶體的飽和區 → 作為類比電路 SW-ON
當 JE 逆偏 JC 逆偏時就是電晶體的截止區 → 作為類比電路 SW-OFF
當 JE 逆偏 JC 順偏時就是電晶體的反向模式 → 作為TTL反及閘的輸入電晶體
結論PNP 跟 NPN 沒有什麼不同~~要說有不同的話那就是NPN 的增益跟操作速率會大於 PNP因為Un > Up 所以速率會比較快...
● 方法一:
NPN電晶體: E-B = N-P 二極體，B-C = P-N 二極體
PNP電晶體: E-B = P-N 二極體，B-C = N-P 二極體
B 騰空時，C-E 不導通
因此，先以二極體測試檔位，運用以上特性（紅+接P 黑-接N 可導通，反之不通）找出 B 極，同時也可以知道是 PNP 或 NPN。
此時，剩下 C、E 還無法確定，現在用電晶體測試檔位，嘗試兩種(C,E互換)法，以測得最大的 hFE (又稱 Beta) 那個 C、E 位置為正確 (最大不是 Overflow!)
●方法二:
一般電晶體只有 EBC, ECB 兩種排法，加上正反方向，共四種組合。
再加開關有 NPN, PNP 兩種組合。共 4x2=8種組合。所有組合中，以測得最大的 hFE (beta) 那個組合為正確 (最大不是 Overflow!)
※ 二極體、電晶體測試法也可以參考三用表說明書一般電晶體的 hFE 在 100 上下 (數十～一兩百)
註：在電阻檔位時，類比（指針）電表的紅棒為負、黑棒為正，與數位電表極性相反。

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