2006/04/18的日記-007拉拉│愛情公寓交友網站與聊天室

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篇名: 2006/04/18的日記
作者: 007拉拉	日期: 2006.04.18　　天氣: 　心情:

在65奈米以後繼續薄化將會出現一些困擾，例如當製程來到45奈米、32奈米後，閘極的絕緣膜不斷薄化的情況下，會使得漏電流的情況急速惡劣，這樣的障礙，使得業者不得不正視這樣的問題，來減緩薄化絕緣膜厚度的速度，但是這也將帶來另一個層面的影響，由於閘極長度的縮小速度也減慢，及動作電壓就難以再降低，導致更低耗功的目標，也會倍加的困難。

　所以，與65奈米以上的製程相較，當進入到45奈米後，IC製造業者不得不在製程技術上做一些改變，所以影響的包括：曝光製程、閘極結構及多層繞線等等。
:D:D:D:D
越切越小.中間絕緣體就不易絕緣
預估2015年要達到15奈米
材料要達到超絕緣才行吧
很多材料到太薄就無法絕緣.就會導電.就是所謂的漏電
這是很嚴重的問題
若是材料找到新材料.這利益將是很離譜的
:D
現在8吋用90奈米在作切割
以後12吋用45奈米來作
一片可製造出5倍效益
人工成本一樣
所以現在1G快閃市價750.會跌到150
但這是理想值
3星12吋晶元轉65奈米就出問題

英特爾去年賣90奈米CPU出現高熱跟漏電的問題
今年賣65奈米以後45奈米

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