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篇名: 2009/12/10的日記
作者: 作書蟲也作玩家	日期: 2009.12.10　　天氣: 　心情:

TMR 效應還有別的應用。
目前電腦的記憶儲存主要是使用結合電晶體的 DRAM 或被稱為 SRAM 的記憶體，
存取資料所需的時間小於十億分之一秒，非常高速。
用在一般資料的處理上已很足夠，壽命也相當長，只是有點貴，
不過主要的缺點在於一旦切斷電源，資料就是消失 (揮發性)。

目前 IBM、MOTOROLA 等廠商都在開發 MRAM，
它是「高速、非揮發性、長壽命」的終極主記憶體。
它應用 TMR 效應儲存資訊，
在夾住薄絕緣體的強磁體之間，
以流通電流，不流通電流的方式與「1」、「0」的資訊對應。
流經電流與否由強磁體的自旋狀態決定，可以加以控制，用來儲存資訊。
自旋狀態就像永久磁鐵一樣，關機後仍可繼續保持，
因此得以實現非揮發的特性。
一般認為，利用組合電晶體與磁通道接合 (magnetic tunnel junction)
的大型積體電路可以做出實際的 MRAM，
但若使用半導體的製造技術，應能製造出高速且有大容量的記憶體。
一旦 MRAM 被實用化，就能在開機後立即上機使用。

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