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篇名: 2009/12/10的日記
作者: 作書蟲也作玩家	日期: 2009.12.10　　天氣: 　心情:

TMR 效應還有別的應用。目前電腦的記憶儲存主要是使用結合電晶體的 DRAM 或被稱為 SRAM 的記憶體，存取資料所需的時間小於十億分之一秒，非常高速。用在一般資料的處理上已很足夠，壽命也相當長，只是有點貴，不過主要的缺點在於一旦切斷電源，資料就是消失 (揮發性)。目前 IBM、MOTOROLA 等廠商都在開發 MRAM，它是「高速、非揮發性、長壽命」的終極主記憶體。它應用 TMR 效應儲存資訊，在夾住薄絕緣體的強磁體之間，以流通電流，不流通電流的方式與「1」、「0」的資訊對應。流經電流與否由強磁體的自旋狀態決定，可以加以控制，用來儲存資訊。自旋狀態就像永久磁鐵一樣，關機後仍可繼續保持，因此得以實現非揮發的特性。一般認為，利用組合電晶體與磁通道接合 (magnetic tunnel junction) 的大型積體電路可以做出實際的 MRAM，但若使用半導體的製造技術，應能製造出高速且有大容量的記憶體。一旦 MRAM 被實用化，就能在開機後立即上機使用。

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